Tranzistorii sunt elementele de baza care alcatuiesc un procesor si care se regasesc in toata gama de dispozitive, de la supercoputere la playere mp3. Prin combinarea siliciului cu un alt element chimic, germanium, cercetatorii de la IBM, in colaborare cu omologii lor de la Georgia Institute of Technology, au construit un tranzistor care a rulat la o viteza de 500 gigahertzi, adica de 100 de ori mai repede decat viteza celui mai rapid procesor care se gaseste in prezent intr-un calculator personal si de 250 de ori mai rapid decat viteza la care ruleaza un chip dintr-un telefon mobil obisnuit.
Aceasta viteza record a fost atinsa doar cand cercetatorii au adus tranzistorul la o temperatura de zero absolut (minus 451 grade Fahrenheit), insa chiar si la temperatura camerei tranzistorul a ajuns la o viteza de 300 gigahertzi.
Pana acum majoritatea imbunatatirilor aduse vitezei chipurilor au provenit de la reducerea dimensiunilor tranzistorilor. IBM a dezvoltat o abordare diferita care consta in manipularea siliciului la nivelul atomilor, ceea ce inseamna ca este posibil sa fie conceputi tranzistorii plecand de la aplicatiile pe care le vor avea de rezolvat. Expertii considera ca este posibil ca chipurile SiGe sa ajunga chiar si la o viteza de 1 terahertz sau 1.000 gigahertzi.
Citeste si:
Calculator Salariu: Află câți bani primești în mână în funcție de salariul brut »
Te-ar putea interesa și: